參數(shù)資料
型號(hào)： GS8161E18BGT-150IV
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 1M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100
封裝： ROHS COMPLIANT, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 34/35頁(yè)
文件大小： 779K
代理商： GS8161E18BGT-150IV
GS8161ExxB(T/D)-xxxV
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01a 6/2006
34/35
2004, GSI Technology
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8161E18BGT-150V 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
GS8161E18BGT-200IV 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
GS8161E18BGT-200V 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
GS8161E18BGT-250IV 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
GS8161E18BGT-250V 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
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參數(shù)描述
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