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參數(shù)資料
| 型號： | GS816036T-250 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Quad 2-input positive-NAND buffers with open collector outputs 14-SO 0 to 70 |
| 中文描述： | 100萬× 18，512k × 32的，為512k × 36 35.7同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 6/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 810K |
| 代理商： | GS816036T-250 |
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Rev: 2.12 3/2002
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
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1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS816018/32/36T-250/225/200/166/150/133
GS816018/32/36 Block Diagram
A1
A0
A0
A1
D0
D1
Q1
Q0
Counter
Load
D
Q
D
Q
Register
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
R
D
Q
R
A0
–
An
LBO
ADV
CK
ADSC
ADSP
GW
BW
B
A
E
1
E
2
E
3
G
ZZ
Power Down
Control
Memory
Array
36
36
4
A
Q
D
DQx1
–
DQx9
Note: Only x36 version shown for simplicity.
1
B
B
B
C
B
D
FT
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816036T-250I | Quad 2-input positive-NAND buffers with open collector outputs 14-SO 0 to 70 |
| GS8160E18 | 16Mb（1M x 18Bit）Sync Burst SRAM(16M位（1M x 18位）同步靜態(tài)RAM(帶2位脈沖地址計數(shù)器)) |
| GS8160E32 | 16Mb（512K x 36Bit）Sync Burst SRAM(16M位（512K x 36位）同步靜態(tài)RAM(帶2位脈沖地址計數(shù)器)) |
| GS8160E36 | 16Mb（256K x 72Bit）Sync Burst SRAM(16M位（256K x 72位）同步靜態(tài)RAM(帶2位脈沖地址計數(shù)器)) |
| GS8160F18 | 16Mb（1M x 18Bit）Sync Burst SRAM(16M位（1M x 18位）同步靜態(tài)RAM(帶2位脈沖地址計數(shù)器)) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS816036T-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8160E18BGT-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 100TQFP - Trays |
| GS8160E18BGT-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 100TQFP - Trays |
| GS8160E18BGT-150IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 100TQFP - Trays |
| GS8160E18BGT-150V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 100TQFP - Trays |
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