- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383020 > GS816032T-166 (Electronic Theatre Controls, Inc.) 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | GS816032T-166 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M×18，512k×32，512k×36 18M位同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 19/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 810K |
| 代理商： | GS816032T-166 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁當(dāng)前第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁
Rev: 2.12 3/2002
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
19/28
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS816018/32/36T-250/225/200/166/150/133
Q1
A
Q3
A
Q2
D
Q2c
Q2
B
Q2
A
tKQ
tLZ
tOE
tOHZ
tOLZ
tKQX
tHZ
tKQX
CK
ADSP
ADSC
BW
G
GW
ADV
Burst Read
RD2
RD3
tKL
tS
tH
tH
tS tH
tS tH
ADSC initiated read
Suspend Burst
Single Read
ADSP is blocked by E inactive
A
0
–
An
B
A
–
B
B
tKH
tKC
tS tH
tS
tS
tH
DQ
A
–
DQ
D
RD1
Hi-Z
Suspend Burst
Flow Through Read Cycle Timing
E
2
tS
tH
tH
tH
E
1
masks ADSP
E
2
and E
3
only sampled with ADSP or ADSC
Deselected with E
2
E
3
E
1
tS
tS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816032T-166I | Aluminum Electrolytic Radial Leaded Bi-Polar Capacitor; Capacitance: 100uF; Voltage: 50V; Case Size: 10x20 mm; Packaging: Bulk |
| GS816032T-200 | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816032T-200I | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816032T-225 | Aluminum Electrolytic Radial Leaded Bi-Polar Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 50V; Case Size: 12.5x25 mm; Packaging: Bulk |
| GS816032T-225I | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS816032T-166I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816032T-200 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816032T-200I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816032T-225 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816032T-225I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。