型號: | GS816032T-133I |
廠商: | Electronic Theatre Controls, Inc. |
元件分類: | DRAM |
英文描述: | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
中文描述: | 1M×18,512k×32,512k×36 18M位同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
文件頁數: | 28/28頁 |
文件大?。?/td> | 810K |
代理商: | GS816032T-133I |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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GS816032T-150 | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
GS816032T-150I | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
GS816032T-166 | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
GS816032T-166I | Aluminum Electrolytic Radial Leaded Bi-Polar Capacitor; Capacitance: 100uF; Voltage: 50V; Case Size: 10x20 mm; Packaging: Bulk |
GS816032T-200 | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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GS816032T-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
GS816032T-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
GS816032T-166 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
GS816032T-166I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
GS816032T-200 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |