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參數(shù)資料
| 型號： | GS816032T-133 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M×18，512k×32，512k×36 18M位同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 24/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 810K |
| 代理商： | GS816032T-133 |
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Rev: 2.12 3/2002
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
24/28
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS816018/32/36T-250/225/200/166/150/133
TQFP Package Drawing
D
D
E1
E
P
b
e
c
L
L1
A2
A1
Y
θ
Notes:
1.
2.
All dimensions are in millimeters (mm).
Package width and length do not include mold protrusion.
Symbol
Description
Min.
Nom.
Max
A1
Standoff
0.05
0.10
0.15
A2
Body Thickness
1.35
1.40
1.45
b
Lead Width
0.20
0.30
0.40
c
Lead Thickness
0.09
—
0.20
D
Terminal Dimension
21.9
22.0
22.1
D1
Package Body
19.9
20.0
20.1
E
Terminal Dimension
15.9
16.0
16.1
E1
Package Body
13.9
14.0
14.1
e
Lead Pitch
—
0.65
—
L
Foot Length
0.45
0.60
0.75
L1
Lead Length
—
1.00
—
Y
Coplanarity
0.10
θ
Lead Angle
0
°
—
7
°
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816032T-133I | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816032T-150 | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816032T-150I | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816032T-166 | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816032T-166I | Aluminum Electrolytic Radial Leaded Bi-Polar Capacitor; Capacitance: 100uF; Voltage: 50V; Case Size: 10x20 mm; Packaging: Bulk |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS816032T-133I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816032T-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816032T-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816032T-166 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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