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參數(shù)資料
| 型號： | GS816018T-200 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M×18，512k×32，512k×36 18M位同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 24/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 810K |
| 代理商： | GS816018T-200 |
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Rev: 2.12 3/2002
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
24/28
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS816018/32/36T-250/225/200/166/150/133
TQFP Package Drawing
D
D
E1
E
P
b
e
c
L
L1
A2
A1
Y
θ
Notes:
1.
2.
All dimensions are in millimeters (mm).
Package width and length do not include mold protrusion.
Symbol
Description
Min.
Nom.
Max
A1
Standoff
0.05
0.10
0.15
A2
Body Thickness
1.35
1.40
1.45
b
Lead Width
0.20
0.30
0.40
c
Lead Thickness
0.09
—
0.20
D
Terminal Dimension
21.9
22.0
22.1
D1
Package Body
19.9
20.0
20.1
E
Terminal Dimension
15.9
16.0
16.1
E1
Package Body
13.9
14.0
14.1
e
Lead Pitch
—
0.65
—
L
Foot Length
0.45
0.60
0.75
L1
Lead Length
—
1.00
—
Y
Coplanarity
0.10
θ
Lead Angle
0
°
—
7
°
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816018T-200I | Aluminum Electrolytic Radial Leaded Bi-Polar Capacitor; Capacitance: 330uF; Voltage: 25V; Case Size: 12.5x20 mm; Packaging: Bulk |
| GS816018T-225 | Aluminum Electrolytic Radial Leaded Bi-Polar Capacitor; Capacitance: 47uF; Voltage: 25V; Case Size: 6.3x11 mm; Packaging: Bulk |
| GS816018T-225I | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816036T-166I | Quad 2-input positive-NAND buffers with open collector outputs 14-SOIC 0 to 70 |
| GS816036T-200 | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS816018T-200I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816018T-225 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816018T-225I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816018T-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816018T-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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