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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS816018T-166I |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M×18，512k×32，512k×36 18M位同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 20/28頁(yè) |
| 文件大小： | 810K |
| 代理商： | GS816018T-166I |
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Rev: 2.12 3/2002
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
20/28
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS816018/32/36T-250/225/200/166/150/133
Flow Through Read-Write Cycle Timing
CK
ADSP
ADSC
ADV
GW
BW
G
RD1
RD2
Q1
A
Q2
A
Q2
B
Q2c
Q2
D
Single Read
Burst Read
tOE
tOHZ
tS
tH
tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tKH
ADSC initiated read
DQ
A
–
DQ
D
B
A
–
B
D
A
0
–
A
n
tKL
tKC
tS
Single Write
ADSP is blocked by E inactive
tKQ
Hi-Z
Q2
A
Burst wrap around to it’s initial state
E
1
E
3
E
2
tS
tS tH
tS
E
1
masks ADSP
E
2
and E
3
only sampled with ADSP and ADSC
Deselected with E
3
tH
tH
WR1
tS
WR1
tS
tH
D1
A
tS
tH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816018T-200 | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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參數(shù)描述 |
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