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參數(shù)資料
| 型號： | GS74108ATP-10 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
| 中文描述： | 512K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO44 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-44 |
| 文件頁數(shù)： | 9/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 403K |
| 代理商： | GS74108ATP-10 |
D
1
22
23
44
e
B
Q
A
A
A
c
Detail A
E
H
E
L
L
A
Notes:
1.
2.
3.
Dimension D& E do not include interlead flash.
Dimension B does not include dambar protrusion/intrusion.
Controlling dimension: mm
Symbol
Dimension in inch Dimension in mm
min
nom
max
—
—
0.047
0.002
—
—
0.037
0.039
0.041
0.01
0.014
0.018
—
0.006
—
0.721
0.725
0.729
0.396
0.400
0.404
—
0.031
—
0.455
0.463
0.471
0.016
0.020
0.024
—
0.031
—
—
—
0.004
min
—
0.05
0.95
0.25
—
18.31
10.06
—
11.56
0.40
—
—
nom
—
—
1.00
0.35
0.15
18.41
10.16
0.80
11.76
0.50
0.80
—
max
1.20
—
1.05
0.45
—
18.51
10.26
—
11.96
0.60
—
0.10
A
A1
A2
B
c
D
E
e
H
E
L
L1
y
Q
0
o
—
5
o
0
o
—
5
o
GS74108ATP/J/X
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.07 1/2006
9/13
2001, Giga Semiconductor, Inc.
44-Pin, 400 mil TSOP-II
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS74108ATP-10I | 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74108ATP-12 | 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74108ATP-12I | 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74108ATP-8 | 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74108ATP-8I | 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS74108ATP-10I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74108ATP-12 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74108ATP-12I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74108ATP-8 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74108ATP-8I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
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