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參數資料
| 型號： | GS74104TP |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| 中文描述： | 100萬× 4 4Mb的異步SRAM |
| 文件頁數： | 8/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 422K |
| 代理商： | GS74104TP |
Rev: 1.07 1/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
8/12
1999, Giga Semiconductor, Inc.
GS74104TP/J
Write Cycle 1: WE control
Write Cycle 2: CE control
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Address
CE
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Data In
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IMPEDANCE
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WR1
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IMPEDANCE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| GS74108AGJ-10 | 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74108AGJ-10I | 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
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| GS74108AGJ-8 | 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS74104TP/J | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104TP-10 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104TP-10I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104TP-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SRAM |
| GS74104TP-12I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
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