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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS70328TS-8 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 32K x 8 256Kb Asynchronous SRAM |
| 中文描述： | 32K的× 8 256Kb的異步SRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 231K |
| 代理商： | GS70328TS-8 |
GS70328SJ/TS
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.11 11/2004
5/11
1999, GSI Technology
AC Characteristics
Read Cycle
* These parameters are sampled and are not 100% tested
Read Cycle 1: CE = OE = V
IL
, WE = V
IH
Parameter
Symbol
-7
-8
-10
-12
-15
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Read cycle time
t
RC
7
—
8
—
10
—
12
—
15
—
ns
Address access time
t
AA
—
7
—
8
—
10
—
12
—
15
ns
Chip enable access time (CE)
t
AC
—
7
—
8
—
10
—
12
—
15
ns
Output enable to output valid (OE)
t
OE
—
3.5
—
4
—
5
—
6
—
7
ns
Output hold from address change
t
OH
2
—
2
—
2
—
3
—
3
—
ns
Chip enable to output in low Z (CE)
t
LZ
*
2
—
2
—
2
—
3
—
3
—
ns
Output enable to output in low Z (OE)
t
OLZ
*
0
—
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
Chip disable to output in High Z (CE)
t
HZ
*
—
3.5
—
4
—
5
—
6
—
7
ns
Output disable to output in High Z (OE)
t
OHZ
*
—
3
—
3.5
—
4
—
5
—
6
ns
t
AA
t
OH
t
RC
Address
Data Out
Previous Data
Data valid
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS70328TS-8I | 32K x 8 256Kb Asynchronous SRAM |
| GS70328TS-8IT | 32K x 8 256Kb Asynchronous SRAM |
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| GS71108ATP-7 | 128K x 8 1Mb Asynchronous SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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