參數(shù)資料
型號: GPC150
廠商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: General Purpose Controller Z84C15
中文描述: 通用控制器Z84C15
文件頁數(shù): 59/103頁
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代理商: GPC150
grifo
ITALIAN TECHNOLOGY
Pagina 52
GPC
150 Rel. 3.00
DESCRIZIONE SOFTWARE DELLE PERIFERICHE DI BORDO
Nel paragrafo precedente sono stati riportati gli indirizzi di allocazione di tutte le periferiche e di
seguito viene riportata una descrizione dettagliata della funzione e del significato dei relativi registri
(al fine di comprendere le successive informazioni, fare sempre riferimento alle tabelle di
indirizzamento I/O). Qualora la documentazione riportata fosse insufficiente fare riferimento
direttamente alla documentazione tecnica della casa costruttrice del componente. In questo paragrafo
inoltre non vengono descritte le sezioni che fanno parte del microprocessore; per quanto riguarda la
programmazione di quest'ultime si faccia riferimento all'appendice B di questo manuale. Nei
paragrafi successivi si usano le indicazioni
D0
÷
D7
e
.0
÷
7
per fare riferimento ai bits della
combinazione utilizzata nelle operazioni di I/O ad 8 bits.
MEMORY MANAGEMENT UNIT
L’allocazione dello spazio d’indirizzamento fisico delle memorie che possono essere montate sulla
GPC
150
all’interno dello spazio d’indirizzamento logico del microprocessore, è affidato ad una
efficiente circuiteria di MMU. Tale sezione viene programmata tramite l'apposito registro MEM
allocato nello spazio di I/O. Il significato di tale registro è riportato di seguito:
MEM:
I bits di tale registro hanno il seguente significato
MEM.7
->
R/E: selettore RAM (D7=1) o EPROM/FLASH EPROM (D7=0),
nella pagina bassa (0000H
÷
7FFFH) dello spazio d'indirizzamento
della CPU
A18 x IC10 ed /A18 x IC8
A17 x IC10 ed /A17 x IC8
A16 x IC10 ed /A16 x IC8
A15 x IC10 ed /A15 x IC8
Vedere paragrafo FLASH EPROM SERIALI
MEM.6
MEM.5
MEM.4
MEM.3
MEM.2,1,0
->
->
->
->
->
Dove quindi solo i bits D3
÷
D7 definiscono la pagina di SRAM di IC8 od EPROMo
FLASH EPROM di IC10 che deve essere indirizzata.
All’atto del power on o del reset il registro MEM è azzerato (tutti i bits a 0); questo equivale ad una
programmazione della sezione di MMU in cui i primi 32K indirizzati dalla CPU coincidono con la
pagina 0 di EPROM o FLASH EPROM di IC10 ed i secondi 32K coincidono con la pagina 0 diSRAM
di IC8.
Facendo riferimento alle figure 37 e 38 di mappaggio delle memorie, viene riportata in figura 39 una
tabella che descrive tutte le possibili configurazioni della sezione MMU.
La X indica che lo stato del bit è indifferente per il settaggio che si deve realizzare e può quindi
assumere sia lo stato di 0 che di 1, a seconda delle esigenze della circuiteria che gestisce.
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參數(shù)描述
GPC16.5104K400C31TR24 功能描述:薄膜電容器 400volts 0.10uF 10% LS 16.5mm RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 產(chǎn)品類型: 電介質(zhì):Polyester 電容:0.047 uF 容差:10 % 電壓額定值:100 V 系列:225P 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 端接類型:Radial 引線間隔:9.5 mm
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GPC16.5105K100C31TR24 功能描述:薄膜電容器 100volts 1.0uF 10% LS 16.5mm RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 產(chǎn)品類型: 電介質(zhì):Polyester 電容:0.047 uF 容差:10 % 電壓額定值:100 V 系列:225P 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 端接類型:Radial 引線間隔:9.5 mm
GPC16.5105K63C31TR24 功能描述:薄膜電容器 63volts 1.0uF 10% LS 16.5mm RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 產(chǎn)品類型: 電介質(zhì):Polyester 電容:0.047 uF 容差:10 % 電壓額定值:100 V 系列:225P 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 端接類型:Radial 引線間隔:9.5 mm
GPC16.5154K400C31TR24 功能描述:薄膜電容器 400volts 0.15uF 10% LS 16.5mm RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 產(chǎn)品類型: 電介質(zhì):Polyester 電容:0.047 uF 容差:10 % 電壓額定值:100 V 系列:225P 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 端接類型:Radial 引線間隔:9.5 mm