參數資料
型號： GP350MHB06S
廠商： DYNEX SEMICONDUCTOR LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Half Bridge IGBT Module
中文描述： 500 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁數： 8/10頁
文件大?。?/td> 126K
代理商： GP350MHB06S
GP350MHB06S
8/10
Caution: This device is sensitive to electrostatic discharge. Users should follow ESD handling procedures.
www.dynexsemi.com
Fig.15 Transient thermal impedance
1
0.001
10
100
1000
0.01
1
0.1
10
Pulse width, t
p
- (s)
T
t
°
C
Diode
Transistor
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