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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GP1S39 |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | Subminiature, Double-phase Output, Wide Gap Photointerrupter |
| 中文描述： | 超小型，雙相輸出，寬禁帶光電斷路器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | GP1S39 |
*1 For 5 seconds
GP1S39
I
Applications
1. Mouses
I
Absolute Maximum Ratings
( Unit : mm)
2. PWB mounting type
3. Double-phase phototransistor output type
for detecting of rotation direction and count
4. Wide gap between light emitter and
detector: 1.5mm
5. Slit width: 0.8mm
6. Detecting pitch: 0.6mm
2. Cameras
(Ta= 25C)
Parameter
Forward current
Reverse voltage
Power dissipation
Symbol
I
F
V
R
P
V
CE1O
V
CE2O
V
V
Rating
50
6
75
Unit
mA
V
mW
Input
Output
35
V
Emitter-collector voltage
6
V
Collector current
Collector power dissipation
Total power dissipation
Operating temperature
I
C
P
C
P
tot
T
opr
T
stg
T
sol
20
75
100
mA
mW
mW
C
C
C
- 25 to + 85
-40 to + 100
260
Storage temperature
*1
Soldering temperature
Internal connection diagram
C
3.14
(C0.3)
4.0
Rest of gate
(2)
1 Anode
2 Cathode
3 Emitter2
4 Emitter1
5 Collector
1
2
3
PT1
PT2
1
2
3
5
4
C
1.27
C
1.27
A'
B'
A
B
(0.8)
Slit width of
4
5
(1.0)
(0.37)
(0.37)
0.4
4
(C0.4)
3
4.5
1.5
1.5
1.5
Center of light path
(
(
1
Soldering area
GP1S39
I
Features
1. Ultra-compact package
I
Outline Dimensions
E1CO
E2CO
*
Tolerance
:±
0.2mm
*
Burr's dimensions
:
0.15MAX.
*
Rest of gate
:
0.3MAX.
*
( )
:
Reference dimensions
*
The dimensions indicated by
C
refer
to those measured from the lead base.
*
Internal elements are appeared because of thin external mold
resin marked
B-B' section
A-A' section
Subminiature, Double-phase
Output, Wide Gap
Photointerrupter
Collector-emitter voltage
data books, etc. Contact SHARP in order to obtain the latest version of the device specification sheets before using any SHARP's device.
”
“
In the absence of confirmation by device specification sheets, SHARP takes no responsibility for any defects that occur in equipment using any of SHARP's devices, shown in catalogs,
4
M
0.15
+
0.2
-
0.1
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PDF描述 |
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