參數(shù)資料
型號： GP1600FSS18
廠商： DYNEX SEMICONDUCTOR LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Single Switch IGBT Module
中文描述： 1600 A, 1800 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 139K
代理商： GP1600FSS18
GP1600FSM12
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Caution: This device is sensitive to electrostatic discharge. Users should follow ESD handling procedures.
www.dynexsemi.com
Fig.9 Typical turn-off energy vs collector current
Fig.10 Typical turn-off energy vs collector current
Fig.11 Typical diode turn-off energy vs collector current
Fig.12 Typical switching times
0
100
200
300
400
500
600
0
200
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600
800
1000
1200
1400
1600
Collector current, I
C
- (A)
T
o
A : R
g
= 3.3
B : R
g
= 4.7
C : R
g
= 7
A
B
C
Conditions:
T
case
= 25
C,
V
CE
= 600V,
V
GE
= 15V
0
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300
400
500
600
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
Collector current, I
C
- (A)
T
o
A : R
g
= 7
B : R
g
= 4.7
C : R
g
= 3.3
A
B
C
Conditions:
T
case
= 125
C,
V
CE
= 600V,
V
GE
= 15V
0
20
40
60
80
100
120
0
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400
600
800
1000
1200
1400
1600
Collector current, I
C
- (A)
D
o
Conditions:
V
CE
= 600V,
V
GE
= 15V,
R
g
= 3.3
T
case
= 25
C
T
case
= 125
C
0
500
1000
1500
2000
2500
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
Collector current, I
C
- (A)
S
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
Conditions:
T
case
= 125
C,
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
R
g
= 3.3
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