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參數(shù)資料
| 型號： | GP1200FSS18 |
| 廠商： | DYNEX SEMICONDUCTOR LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Single Switch IGBT Module |
| 中文描述： | 1200 A, 1800 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 150K |
| 代理商： | GP1200FSS18 |
GP1200ESM33
6/9
Caution: This device is sensitive to electrostatic discharge. Users should follow ESD handling procedures.
www.dynexsemi.com
Fig.7 Forward bias safe operating area
Fig.8 Transient thermal impedance
Fig.9 DC current rating vs case temperature
Fig.10 Typical input capacitance
1
10
100
1000
10000
1
10
Collector-emitter voltage, V
ce
- (V)
100
1000
10000
C
C
I
C
max. (single pulse)
I
C
ma.DC(oninuou)
t
p
=1m
t
p
= 100
μ
s
Conditions:
T
vj
= 125
C, T
case
= 80
C
0.1
0.001
1
10
100
0.01
1
0.1
10
Pulse width, t
p
- (ms)
T
t
°
C
Diode
Transistor
0
200
400
600
800
1000
1400
1600
1800
D
C
2000
2200
1200
2400
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Case temperature, T
case
- (
C)
200
240
280
320
360
400
220
260
300
340
380
0
10
20
30
40
50
60
Collector-emitter voltage, V
CE
- (V)
I
i
T
vj
= 25
C, V
= 25V
V
GE
= 0V, f = 1MHz
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GP1201FSS18 | Single Switch Low V IGBT Module |
| GP1600FSM12 | Single Switch IGBT Module Advance Information |
| GP1600FSM18 | Hi-Reliability Single Switch IGBT Module |
| GP1600FSS12 | Powerline N-Channel Single Switch IGBT Module Advance Information |
| GP1600FSS18 | Single Switch IGBT Module |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GP1201FSS18 | 制造商:DYNEX 制造商全稱:Dynex Semiconductor 功能描述:Single Switch Low V IGBT Module |
| GP12060 | 制造商:Nordic Power i Stromstad 功能描述:Bulk |
| GP120AFKHB | 制造商:GP BATTERIES 功能描述:BATTERY 4/5AF 1.2V TAGGED |
| GP121000 | 制造商:CSB-BATTERY 制造商全稱:CSB-BATTERY 功能描述:general purpose battery up to 5 |
| GP-12-1000 | 制造商:Nordic Power i Stromstad 功能描述:Bulk |
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