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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GLT4160L04E-50J3 |
| 廠(chǎng)商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EXTENDED DATA OUTPUT |
| 中文描述： | 4米× 4 CMOS動(dòng)態(tài)RAM的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 20/22頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 588K |
| 代理商： | GLT4160L04E-50J3 |
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G -LINK
GLT4160L04
4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EXTENDED DATA OUTPUT
May 2001 (Rev.3.1)
G-Link Technology
2701 Northwestern Parkway
Santa Clara, CA 95051, U.S.A.
G-Link Technology Corporation,Taiwan
6F, No. 24-2, Industry E. RD, IV, Science Based
Industrial Park, Hsin Chu, Taiwan.
- 7 -
AC Characteristics
40
50
60
70
Parameter
Symbol Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max. Unit Notes
Data Set-Up Time
tDS
0
ns
Data Hold Time
tDH
7
8
10
15
ns
Data Hold Time Referenced to RAS
tDHR
36
40
45
50
ns
RAS to WE Delay Time
tRWD
54
67
79
94
ns
CAS to WE Delay Time
tCWD
24
30
34
44
ns
Column Address to WE Delay Time
tAWD
32
42
49
59
ns
CAS Precharge to WE Delay
tCPWD
47
54
64
ns
RAS to CAS Precharge Time
tRPC
0
5
ns
CAS precharge time ( CAS Before RAS counter
test cycle)
tCPT
20
25
ns
Access Time from CAS Precharge
tCPA
22
28
35
40
ns
EDO Page Mode Cycle Time
tPC
18
20
25
30
ns
EDO Page Mode Read-Modify-Write Cycle Time
tPRWC
50
47
56
71
ns
CAS Precharge Time (EDO Page Mode)
tCP
6
8
10
ns
RAS Pulse Width (EDO Page Mode Only)
tRASP
40
100k
50
100k
60
100k
70
100k
ns
RAS Hold Time from CAS precharge
tRHCP
30
35
40
ns
Access Time from OE
tOEA
12
13
15
0
20
ns
8
OE to Data Delay Time
tOED
8
13
15
20
ns
OE to Output Low-Z
tOLZ
3
0
ns
OE to Output High-Z
tOEZ
3
8
3
13
3
15
3
20
ns
WE to Data Delay
tWED
15
20
ns
OE Command Hold Time
tOEH
7
13
15
20
ns
Data Output Hold after CAS low
tDOH
3
5
ns
RAS to Output High-Z
tREZ
3
8
3
13
3
15
3
20
ns
WE to Output High-Z
tWEZ
3
10
3
13
3
15
3
20
ns
OE to CAS Hold Time
tOCH
5
ns
CAS Hold Time to OE
tCHO
5
ns
OE Precharge Time
tOEP
5
ns
WE Puts width (EDO mixed read write cycle)
tWPE
5
ns
CAS Set-Up Time for CAS -before- RAS Cycle
tCSR
5
ns
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