參數(shù)資料
型號(hào)： GL533
廠商： Sharp Corporation
英文描述： High Speed Infrared Emitting Diode for Camera AF (Automatic Focusing)
中文描述： 高速自動(dòng)對(duì)焦相機(jī)紅外發(fā)光二極管（自動(dòng)對(duì)焦）
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
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代理商： GL533
(Ta=25 C)
V
F
V
FM
I
R
Φ
e
I
F
= 50mA
I
FM
= 0.5A
V
R
= 3V
I
F
= 50mA
I
F
= 20mA
I
F
= 20mA
V
R
= 0, f= 1MHz
-
-
-
8
-
-
-
-
1.3
2.0
-
13
940
60
70
300
1.6
2.9
10
18
-
-
-
-
V
V
μ
A
mW
nm
nm
pF
kHz
λ
p
λ
Ct
fc
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Forward voltage
Peak forward voltage
Reverse current
Radiant flux
Peak emission wavelength
Half intensity wavelength
Terminal capacitance
Response capacitance
Electro-optical Characteristics
Fig. 1 Forward Current vs. Ambient
Temperature
100
Fig. 2 Peak Forward Current vs. Duty Ratio
- 25
0
Ambient temperature T
a
(C)
25
50
75
100
0
50
F
Please refer to the chapter "Precautions for Use". (Page 78 to 93)
GL533
10
10
- 4
500
100
50
5000
1000
10
- 3
10
- 2
10
- 1
T
a
= 25C
P
F
Duty ratio
Pulse width<=100
μ
s
10
I
G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GL537 フ 5mm Resin Mold Type Infrared Emitting Diode
GL538 フ 5mm Resin Mold Type Infrared Emitting Diode
GL550 High Speed Infrared Emitting Diode
GL551 High Speed Infrared Emitting Diode
GL560 Low Peak Forward Voltage Type フ 5 Resin Mold Package Infrared Emitting Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GL537 功能描述:紅外發(fā)射源 Thru hole IRED 6mW 950nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長(zhǎng):880 nm 射束角:+/- 25 輻射強(qiáng)度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk
GL538 功能描述:紅外發(fā)射源 Thru hole IRED 15mW 950nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長(zhǎng):880 nm 射束角:+/- 25 輻射強(qiáng)度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk
GL538Q 制造商:Sharp Microelectronics 功能描述:LED IrLED 950nm
GL5401 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
GL550 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:High Speed Infrared Emitting Diode
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