參數(shù)資料
型號(hào): GL4610
廠商: Sharp Corporation
英文描述: Double Ended Mold Type Infrared Emitting Diode
中文描述: 雙端模具類型紅外線發(fā)光二極管
文件頁數(shù): 4/4頁
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代理商: GL4610
Please refer to the chapter "Precautions for Use". (Page 78 to 93)
GL4600/GL4610
Fig. 8 GL4600 Relative Radiant Intensity
vs. Distance
100
R
Distance to detector (mm)
R
Distance between emitter and detector d (mm)
Fig. 10 Radiation Diagram
Angular displacement
θ
Fig. 9 GL4600 Relative Radiant Intensity
vs. Distance
100
0
- 30
60
80
- 50
50
40
- 20
+ 10
30
- 10
- 40
70
+ 20
- 60
90
- 80
- 90
50
- 70
50
0
40
60
80
100
R
20
1
10
1
10
100
0.1
0.1
0.01
Ta=25C
1
10
1
10
100
0.1
0.1
Ta=25C
(Detector : PT4600)
G
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PDF描述
GL4600 Double Ended Mold Type Infrared Emitting Diode
GL4800 Thin Type Infrared Emitting Diode
GL480 Infrared Emitting Diode
GL480Q Infrared Emitting Diode
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參數(shù)描述
GL4672 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
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GL480 功能描述:EMITTER IR 950NM 3.0MW TH RoHS:否 類別:光電元件 >> 紅外發(fā)射極 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,200 系列:- 電流 - DC 正向(If):100mA 輻射強(qiáng)度(le)最小值@正向電流:27mW/sr @ 100mA 波長:940nm 正向電壓:1.6V 視角:40° 方向:頂視圖 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向 包裝:帶卷 (TR)
GL4800 功能描述:EMITTER IR 950NM 3.0MW TH RoHS:否 類別:光電元件 >> 紅外發(fā)射極 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,200 系列:- 電流 - DC 正向(If):100mA 輻射強(qiáng)度(le)最小值@正向電流:27mW/sr @ 100mA 波長:940nm 正向電壓:1.6V 視角:40° 方向:頂視圖 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向 包裝:帶卷 (TR)
GL4800E0000F 功能描述:紅外發(fā)射源 Thru hole thin IRED 30 0.7mW 950 nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強(qiáng)度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk