參數(shù)資料
型號： GB10RF120K
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： TRANSISTOR 20 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ECONO2PIM-24, Insulated Gate BIP Transistor
中文描述： IGBT Modules 20 Amp 1200 Volt Non-Punch Through
文件頁數(shù)： 5/13頁
文件大小： 277K
代理商： GB10RF120K
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
GB10XF120K TRANSISTOR 20 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ECONO26PACK-17, Insulated Gate BIP Transistor
GB15RF120K TRANSISTOR 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ECONO2PIM-24, Insulated Gate BIP Transistor
GB15XF120K TRANSISTOR 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ECONO26PACK-17, Insulated Gate BIP Transistor
GB15XP120KTPBF TRANSISTOR 30 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT, MTP, 13 PIN, Insulated Gate BIP Transistor
GB162BHYAANUB-V01 OSCILLATOR,28.322MHZ,HALF CAN, TTL,70MA,5NS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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GB10SLT06-214 制造商:GENESIC SEMICONDUCTOR 功能描述:SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A
GB10SLT12-214 功能描述:SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 制造商:genesic semiconductor 系列:* 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 基本零件編號:GB10SLT12 標準包裝:1
GB10SLT12-220 功能描述:肖特基二極管與整流器 1200V 10A SiC Schottky Rectifier RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
GB10SLT12-247 功能描述:肖特基二極管與整流器 1200V 10A SiC Schottky Rectifier RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
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