參數(shù)資料
型號(hào): FZT796
廠商: Zetex Semiconductor
元件分類: 圓形連接器
英文描述: Circular Connector; No. of Contacts:5; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:14; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:14-22
中文描述: 進(jìn)步黨硅平面中功率高增益晶體管
文件頁(yè)數(shù): 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 78K
代理商: FZT796
FZT796A
3 - 256
3 - 255
0.01
0.1
1
10
0.8
0.6
0
1.6
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1.6
1.4
1.2
0.01
0.1
1
10
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.2
1.6
1.4
1.2
I
C
-
Collector Current (Amps)
V
-
I
C
-
Collector Current (Amps)
-
I
C
-
Collector Current (Amps)
I
C
-
Collector Current (Amps)
I
C
-
Collector Current (Amps)
h
-
-
750
500
250
h
-
T
amb
=25°C
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
0
+100°C
+25°C
-55°C
0.01
0.1
1
10
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.2
1.6
1.4
1.2
-
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
1.8
1.4
1.2
1.0
0.4
0.2
0.8
0.6
0
1.6
1.8
1.4
1.2
1.0
0.4
0.2
-55°C
+25°C
+100°C
0.001
I
C
/I
B
=10
I
C
/I
B
=40
I
C
/I
B
=20
0.001
I
C
/I
B
=20
V
CE
=10V
V
CE
=10V
I
C
/I
B
=10
TYPICAL CHARACTERISTICS
I
C
Safe Operating Area
V
CE
- Collector Emitter Voltage (V)
1
0.1
10
100
1s
DC
100ms
10ms
1ms
100
μ
s
1
0.01
1000
0.001
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FZT796A PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT849 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR
FZT851 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS
FZT853 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS
FZT855 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE)TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FZT796ATA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FZT796ATC 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Gain RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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FZT849TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Ct Low Sat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2