參數(shù)資料
型號(hào)： FZT660A
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
文件大?。?/td> 169K
代理商： FZT660A
-
75
I
C
= 100 mA,V
CE
= 5 V, f=100MHz
Transition Frequency
f
T
pF
45
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1MHz
Output Capacitance
C
obo
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
V
1
I
C
= 1 A, V
CE
= 2 V
Base-Emitter On Voltage
V
BE(on)
V
1.25
I
C
= 1 A, I
B
= 100 mA
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
mV
300
550
500
I
C
= 1 A, I
B
= 100 mA
I
C
= 3 A, I
B
= 300 mA
FZT660
FZT660A
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
CE(sat)
-
300
550
70
100
250
80
25
I
C
= 100 mA, V
CE
= 2 V
I
C
= 500 mA, V
CE
= 2 V
FZT660
FZT660A
I
C
= 1 A, V
CE
= 2 V
I
C
= 3 A, V
CE
= 2 V
DC Current Gain
h
FE
ON CHARACTERISTICS
*
nA
100
V
EB
= 4V
Emitter Cutoff Current
I
EBO
nA
uA
100
10
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V, T
A
=100°C
Collector Cutoff Current
I
CBO
V
5
I
E
= 100
μ
A
Emitter-Base Breakdown Voltage
BV
EBO
V
80
I
C
= 100
μ
A
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CBO
V
60
I
C
= 10 mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
CEO
OFF CHARACTERISTICS
Units
Max
Min
Test Conditions
Parameter
Symbol
PNP Low Saturation Transistor
(continued)
Electrical Characteristics
T
A = 25°C unless otherwise noted
*Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
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fzt660.lwpPrPA 7/10/98 revC
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FZTA63 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-223
G0100RR Special Function Video Processor
G105 SIDAC|113V V(BO) MAX|200UA I(S)|DO-204AL
G120 SIDAC|125V V(BO) MAX|200UA I(S)|DO-204AL
G130 SIDAC|135V V(BO) MAX|200UA I(S)|DO-204AL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FZT689 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
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