參數(shù)資料
型號(hào)： FZT649
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN Low Saturation Transistor(集電極電流達(dá)3A的NPN低飽和電壓晶體管)
中文描述： 3 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 190K
代理商： FZT649
SOT-223 (FS PKG Code 47)
SOT-223 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Part Weight per unit (gram): 0.1246
September 1999, Rev. C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FZT689 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT689B NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT690 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT690B RES 100K .250W 1%
FZT692 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
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參數(shù)描述
FZT649 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-223
FZT649_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FZT649TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FZT649TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FZT651 制造商:Zetex 功能描述:Bulk 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-223 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-223 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency Typ ft:175MHz; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:200; No. of Pins:4 ;RoHS Compliant: Yes
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