參數(shù)資料
型號： FZT1149A
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
中文描述： 4 A, 25 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SOT-223, 4 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 93K
代理商： FZT1149A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C ).
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
CONDITIONS.
MIN.
TYP.
MAX.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-30
-70
V
I
C
=-100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
CES
-25
-60
V
I
C
=-100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
CEO
-25
-60
V
I
C
=-10mA *
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
CEV
-25
-60
V
I
C
=-100
μ
A, V
EB
=+1V
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
-5
-8.5
V
I
E
=-100
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
-0.3
-100
nA
V
CB
=-24V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
-0.3
-100
nA
V
EB
=-4V
Collector Emitter Cut-Off
Current
I
CES
-0.3
-100
nA
V
CE
=-20V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-45
-100
-140
-170
-230
-80
-170
-240
-260
-350
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
=-0.1A, I
B
=-1.0mA*
I
C
=-0.5A, I
B
=-3mA*
I
C
=-1A, I
B
=-7mA*
I
C
=-2A, I
B
=-30mA*
I
C
=-4A, I
B
=-140mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-960
-1050
mV
I
C
=-4A, I
B
=-140mA*
Base-Emitter Turn-On
Voltage
V
BE(on)
-860
-1000
mV
I
C
=-4A, V
CE
=-2V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
270
250
195
115
450
400
320
190
50
800
I
C
=-10mA, V
CE
=-2V*
I
C
=-0.5A, V
CE
=-2V*
I
C
=-2A, V
CE
=-2V*
I
C
=-5A, V
CE
=-2V*
I
C
=-10A, V
CE
=-2V*
Transition Frequency
f
T
135
MHz
I
=-50mA, V
CE
=-10V
f=50MHz
Output Capacitance
C
cb
50
pF
VCB=- 10V, f= 1MHz
Switching Times
t
on
150
ns
I
C
=-4A, I
B
=-40mA,
V
CC
=-10V
t
off
270
ns
I
C
=-4A, I
B
=
±
40mA,
V
CC
=-10V
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%.
FZT1149A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FZT1151A PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT2222A SOT223 NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTOR
FZT3019 NPN General Purpose Amplifier
FZT491A
FZT491 Circular Connector; No. of Contacts:11; Series:; Body Material:Aluminum; Connector Shell Size:18; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:18-11
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FZT1149ATA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Gain & Crnt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FZT1149ATC 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Gain & Crnt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FZT1151A 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-223 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, PNP, SOT-223 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, PNP, 40V, 3A, 2.5W, SOT-223; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency Typ ft:145MHz; Power Dissipation Pd:2.5W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:450; No. of Pins:4 ;RoHS Compliant: Yes
FZT1151A 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-223
FZT115-1A10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*