參數(shù)資料
型號： FZT1053
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
中文描述： 5 A, 75 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： FZT1053
SOT223
SOT223 NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ISSUE 2 - MARCH 2001
FEATURES
*
*
*
*
*
*
V
CEO
= 75V
4.5 Amp Continuous Current
10 Amp Pulse Current
Low Saturation Voltage
High Gain
Extremely Low Equivalent On-resistance;
R
CE(sat)
= 78m
at 4.5A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
150
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
75
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
7.5
V
Peak Pulse Current
I
CM
10
A
Continuous Collector Current
I
C
4.5
A
Base Current
I
B
500
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
2.5
W
Operating and Storage Temperature
Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
The power which can be dissipated assuming the device is mounted in typical manner on a PCB
with copper equal to 2 inches x 2 inches.
FZT1053A
C
C
E
B
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FZT1053ATC 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Gain & Crnt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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