參數(shù)資料
型號： FZ800R12KS4
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： IGBT-Module
中文描述： IGBT的模塊
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大小： 101K
代理商： FZ800R12KS4
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 800 R12 KS4
Vorlufige Daten
Preliminary data
Z
t
[
t [sec]
i
1
2
3
4
r
i
[K/kW]
: IGBT
τ
i
[sec]
: IGBT
r
i
[K/kW]
: Diode
τ
i
[sec]
: Diode
3,85
0,0064
5,78
0,0064
5,68
0,0493
8,52
0,0493
6,15
0,0916
9,22
0,0916
2,32
1,5237
3,48
1,5237
Transienter Wrmewiderstand Z
thJC
= f (t)
Transient thermal impedance
0,0001
0,001
0,01
0,1
0,001
0,01
0,1
1
10
Zth:IGBT
Zth:Diode
8 (9)
FZ800R12KS4, preliminary.xls
15.06.00
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FZ800R17KF6C_B2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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