參數(shù)資料
型號(hào)： FZ400R12KS4
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-Module / IGBT-inverter
中文描述： 510 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-5
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 264K
代理商： FZ400R12KS4
2
Technische Information / technical information
FZ400R12KS4
IGBT-modules
IGBT-Module
prepared by: Martin Knecht
approved by: Wilhelm Rusche
date of publication: 2004-7-6
revision: 3.1
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Hchstzulssige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TY = 25°C
V￠
1200
V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
400
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
t = 1 ms
I￠
800
A
Grenzlastintegral
I2t - value
V = 0 V, t = 10 ms, TY = 125°C
I2t
65000
A2s
Charakteristische Werte / characteristic values
min.
typ.
2,00
1,70
max.
2,40
Durchlassspannung
forward voltage
I = 400 A, V = 0 V
I = 400 A, V = 0 V
V
V
V
TY = 25°C
TY = 125°C
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I = 400 A, - di/dt = 4000 A/μs
V = 600 V
V = -15 V
I￠
280
420
A
A
TY = 25°C
TY = 125°C
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
I = 400 A, - di/dt = 4000 A/μs
V = 600 V
V = -15 V
Q
24,0
64,0
μC
μC
TY = 25°C
TY = 125°C
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
I = 400 A, - di/dt = 4000 A/μs
V = 600 V
V = -15 V
Etê
8,40
22,0
mJ
mJ
TY = 25°C
TY = 125°C
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode
per diode
Rúì
0,085 K/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
eèùút = 1 W/(m·K) / etèùt = 1 W/(m·K)
Rúì
0,028
K/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FZ400R65KF1 IGBT-Module
FZ600R65KF1 IGBT-Module
FZH211S DRIVER AND LEVEL CONVERTER INCI. AUTOMATIC THRESHOLD CHANGEOVER
FZH215S DRIVER AND LEVEL CONVERTER INCI. AUTOMATIC THRESHOLD CHANGEOVER
FZT1047A RES 3.65K 1% 0603
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參數(shù)描述
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FZ400R17KE3_S4 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module
FZ400R17KE4 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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FZ400R65KF1 功能描述:IGBT 模塊 6500V 400A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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