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參數(shù)資料
| 型號： | FZ300R12KE3G |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Technische Information / technical information |
| 中文描述： | 480 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-5 |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 264K |
| 代理商： | FZ300R12KE3G |
5
Technische Information / technical information
FZ300R12KE3G
IGBT-modules
IGBT-Module
prepared by: Mark Münzer
approved by: Wilhelm Rusche
date of publication: 2004-7-5
revision: 3.2
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
Eóò = f (R), Eó = f (R)
V = ±15 V, I = 300 A, V = 600 V
R []
E
0
4
8
12
16
20
24
28
180
150
120
90
60
30
0
Eóò, TY = 125°C
Eó, TY = 125°C
Transienter Wrmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
Zúì = f (t)
t [s]
Z
0,001
0,01
0,1
1
10
0,001
0,01
0,1
Zúì : IGBT
i:
rí[K/W]:
í[s]:
τ
1
0,00161
0,00001187
2
0,00484
0,002364
3
0,04282
0,02601
4
0,03573
0,06499
Sicherer Rückwrts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I = f (V)
V = ±15 V, Ró = 2,4 , TY = 125°C
V [V]
I
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
700
600
500
400
300
200
100
0
I, Modul
I, Chip
Durchlakennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
I = f (V)
V [V]
I
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
600
500
400
300
200
100
0
TY = 25°C
TY = 125°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FZH215S | DRIVER AND LEVEL CONVERTER INCI. AUTOMATIC THRESHOLD CHANGEOVER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FZ300R12KE3GS | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 300A SINGLE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FZ300R12KF | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048 |
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| FZ300R12KL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048 |
| FZ30510 | 制造商:Omron Corporation 功能描述: |
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