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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FZ1200R33KL2C-B5 |
| 廠商： | EUPEC |
| 英文描述： | IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter |
| 中文描述： | IGBT的- Wechselrichter / IGBT的逆變器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 275K |
| 代理商： | FZ1200R33KL2C-B5 |
3
Technische Information / technical information
FZ1200R33KL2C_B5
IGBT-modules
IGBT-Module
prepared by: Karl-Heinz Hoppe
approved by: Thomas Schütze
date of publication: 2004-4-8
revision: 2.1
Vorlufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V￥
10,2
kV
Teilentladungs Aussetzspannung
partial discharge extinction voltage
RMS, f = 50 Hz, Q typ 10 pC (acc. to IEC 1287)
V￥
5,1
kV
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung
DC stability
TY = 25°C, 100 fit
V
2150
V
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
AlSiC
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AlN
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkrper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
64,0
56,0
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkrper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
40,0
26,0
mm
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 600
min.
typ.
max.
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
eèùút = 1 W/(m·K) / etèùt = 1 W/(m·K)
Rúì
6,00
K/kW
Modulinduktivitt
stray inductance module
Lù
18
nH
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T = 25°C, pro Schalter / per switch
Róó
0,12
m
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter / inverter
TY èà
150
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
Wechselrichter / inverter
TY ó
-40
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
Tùú
-40
125
°C
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Schraube / screw M6
M
4,25
-
5,75
Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Schraube / screw M4
Schraube / screw M8
M
1,8
8,0
-
-
2,1
10
Nm
Nm
Gewicht
weight
G
1400
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics.
It is valid with the appropriate technical explanations.
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