參數(shù)資料
型號(hào)： FZ1200R17KF6B2
廠商： EUPEC
英文描述： Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
中文描述： Hochstzulassige話高潮/最大額定值
文件頁數(shù)： 5/9頁
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代理商： FZ1200R17KF6B2
Technische Information / Technical Information
FZ 1200 R 17 KF6C B2
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufige Daten
preliminary data
I
C
V
GE
[V]
I
F
V
F
[V]
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
5
6
7
8
9
10
11
12
13
Tj = 25°C
Tj = 125°C
übertragungscharakteristik (typisch) I
C
= f (V
GE
)
Transfer characteristic (typical)
V
CE
= 20V
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Durchlakennlinie der Inversdiode (typisch) I
F
= f (V
F
)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
5(8)
FZ1200R17KF6CB2_V.xls
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FZ1200R17KF6CB2 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
FZ1200R17KF6C-B2 功能描述:IGBT 模塊 1700V 1200A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ1200R17KF6CB2V 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module
FZ1200R33HE3 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode
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