參數(shù)資料
型號： FX20VSJ-3
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： HIGH-SPEED SWITCHING USE
中文描述： 高速開關使用
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： FX20VSJ-3
PRELIMINARY
Notice: This is not a final specification.
Some parametric limits are subject to change.
Jan.1999
MITSUBISHI Pch POWER MOSFET
FX20VSJ-3
HIGH-SPEED SWITCHING USE
PERFORMANCE CURVES
0
20
40
60
80
100
0
200
50
100
150
–2
–3
–10
0
–5
–7
–10
1
–2
–3
–5
–7
–10
2
–2
–3
–5
–7
–10
1
–2
–10
2
–3 –5–7
–2
–10
3
–3 –5–7
–2
–2 –3 –5–7
–2
tw = 10
μ
s
100
μ
s
1ms
10ms
DC
T
C
= 25°C
Single Pulse
0
–2
–4
–6
–8
–10
0
–1.0
–2.0
–3.0
–4.0
–5.0
–2.5V
V
GS
= –10V
T
C
= 25°C
Pulse Test
–4V
–3V
–6V
–8V
0
–4
–8
–12
–16
–20
0
–2
–4
–6
–8
–10
–3V
–2.5V
–4V
P
D
= 70W
T
C
= 25°C
Pulse Test
–6V
V
GS
=
–10V
–8V
POWER DISSIPATION DERATING CURVE
CASE TEMPERATURE T
C
(°C)
P
D
MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
D
D
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
D
D
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
D
D
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
V
(BR) DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS (th)
r
DS (ON)
r
DS (ON)
V
DS (ON)
y
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d (on)
t
r
t
d (off)
t
f
V
SD
R
th (ch-c)
t
rr
V
μ
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
°C/W
ns
–150
—
—
–1.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–1.5
0.23
0.25
–2.3
17.5
4470
248
115
15
42
273
114
–1.0
—
100
—
±0.1
–0.1
–2.0
0.29
0.32
–2.9
—
—
—
—
—
—
—
—
–1.5
1.79
—
I
D
= –1mA, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= –150V, V
GS
= 0V
I
D
= –1mA, V
DS
= –10V
I
D
= –10A, V
GS
= –10V
I
D
= –10A, V
GS
= –4V
I
D
= –10A, V
GS
= –10V
I
D
= –10A, V
DS
= –10V
V
DS
= –10V, V
GS
= 0V, f = 1MHz
V
DD
= –80V, I
D
= –
10
A, V
GS
= –10V, R
GEN
= R
GS
= 50
I
S
= –10A, V
GS
= 0V
Channel to case
I
S
= –20A, dis/dt = 100A/
μ
s
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Tch = 25°C)
Drain-source breakdown voltage
Gate-source leakage current
Drain-source leakage current
Gate-source threshold voltage
Drain-source on-state resistance
Drain-source on-state resistance
Drain-source on-state voltage
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Source-drain voltage
Thermal resistance
Reverse recovery time
Symbol
Unit
Parameter
Test conditions
Limits
Typ.
Min.
Max.
相關PDF資料
PDF描述
FX20VSJ-3 Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FX2505 Hydrogen Thyratron
FX252B CERAMIC SMD CRYSTAL
FX3090 Obsolete Product For Information Only.
FX30ASJ-03 HIGH-SPEED SWITCHING USE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FX210 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 4A I(D) | DIP
FX2-100P-0.635SH 功能描述:CONN HEADR R/A 100POS 1.27MM SMD RoHS:否 類別:連接器，互連式 >> 板對板 - 陣列，邊緣類型，包廂 系列:FX2 標準包裝:3,000 系列:SlimStack™ 502396 連接器類型:插頭，外罩觸點 位置數(shù):100 間距:0.016"（0.40mm） 行數(shù):2 安裝類型:表面貼裝 特點:固定焊尾 觸點表面涂層:金 觸點涂層厚度:8µin（0.20µm） 包裝:帶卷 (TR) 配接層疊高度:2.5mm 板上方高度:0.084"（2.13mm） 其它名稱:502396-1010
FX2-100P-0.635SH(71) 功能描述:板對板與夾層連接器 HEDR R/A 100P 1.27MM SMT RoHS:否 制造商:JAE Electronics 系列:WP3 產品類型:Receptacles 節(jié)距:0.4 mm 疊放高度:1 mm 安裝角: 位置/觸點數(shù)量:50 排數(shù):2 外殼材料:Plastic 觸點材料:Copper Alloy 觸點電鍍:Gold 電壓額定值:50 V 電流額定值:0.4 A
FX2-100P-0.635SH(95) 功能描述:板對板與夾層連接器 100P R/A HEADER SMT WITH BOSS RoHS:否 制造商:JAE Electronics 系列:WP3 產品類型:Receptacles 節(jié)距:0.4 mm 疊放高度:1 mm 安裝角: 位置/觸點數(shù)量:50 排數(shù):2 外殼材料:Plastic 觸點材料:Copper Alloy 觸點電鍍:Gold 電壓額定值:50 V 電流額定值:0.4 A
FX2-100P-1.27DS 功能描述:CONN HEADER R/A 100POS 1.27MM RoHS:否 類別:連接器，互連式 >> 板對板 - 陣列，邊緣類型，包廂 系列:FX2 標準包裝:3,000 系列:SlimStack™ 502396 連接器類型:插頭，外罩觸點 位置數(shù):100 間距:0.016"（0.40mm） 行數(shù):2 安裝類型:表面貼裝 特點:固定焊尾 觸點表面涂層:金 觸點涂層厚度:8µin（0.20µm） 包裝:帶卷 (TR) 配接層疊高度:2.5mm 板上方高度:0.084"（2.13mm） 其它名稱:502396-1010
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