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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FTD7003 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | P-Channel Silicon MOSFET High-Speed Switching Applications |
| 中文描述： | P溝道MOSFET的硅高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 29K |
| 代理商： | FTD7003 |
FTD7003
No.7302-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
RDS(on) 1
RDS(on) 2
RDS(on) 3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=--6A, VGS=--4.5V
ID=--3A, VGS=--2.5V
ID=--1A, VGS=--1.8V
VDS=--6V, f=1MHz
VDS=--6V, f=1MHz
VDS=--6V, f=1MHz
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
VDS=--6V, VGS=--4.5V, ID=--6A
VDS=--6V, VGS=--4.5V, ID=--6A
VDS=--6V, VGS=--4.5V, ID=--6A
IS=--6A, VGS=0
20
29
40
25
40
60
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
2100
580
500
20
380
220
230
28
2.5
6.5
--0.83
--1.5
Switching Time Test Circuit
Electrical Connection
PW=10
μ
s
D.C.
≤
1%
P.G
50
G
S
D
ID= --6A
RL=1
VDD= --6V
VOUT
FTD7003
VIN
0V
--4.5V
VIN
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
0
--60
10
20
30
40
50
60
70
Ta=25
°
C
ID= --6A
--1A
VGS= --1.0V
-15V
-18V
-.V
-0
-5
-5
ID= --1A, VGS= --1.8V
ID= --3A, VGS= --2.5V
ID= --6A, VGS= --4.5V
-5
°
C
160
120
140
100
60
80
40
20
0
--40
--20
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
IT04621
IT04622
IT04623
IT04624
--6
--4
--5
--3
--2
--1
0
--0.1
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
0
--6
--4
--5
--3
--2
--1
0
VDS= --6V
T=5
°
C
2
°
C
--3A
ID -- VDS
D
ID -- VGS
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
S
O
S
O
Ambient Temperature, Ta --
°
C
D
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
D1 S1
S1
G1
D2 S2
S2
G2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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