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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FTD2015 |
| 廠(chǎng)商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | Load Switching Applications |
| 中文描述： | 負(fù)荷開(kāi)關(guān)應(yīng)用 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 41K |
| 代理商： | FTD2015 |
No.6393-3/4
FTD2015
IT01288
IT01291
IT01289
IT01292
A S O
100ms
<10
μ
s
100
μ
s
1m
10ms
IDP=20A
ID=4A
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
100
10
1.0
0.1
0.01
2 3
5 7
2 3
5 7
2 3
5 7
0.01
0.1
1.0
2 3
5 7
10
100
Operation in this
area is limited by RDS(on).
Ta=25
°
C
Single pulse
1 unit
0
0
20
40
60
0.5
0.8
1.3
80
100
120
1.0
1.5
140
160
PD
-- Ta
0.1
1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
1000
100
7
5
3
2
7
5
3
2
10
7
5
3
2
10
SW Time -- ID
VDD=15V
VGS=10V
td(on)
td(off)
tr
tf
0
5
25
30
10
100
1000
10000
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
10
8
9
5
6
7
3
4
1
2
0
0
4
2
6
8
10
12
14
VGS -- Qg
IT01290
VDS=10V
ID=4A
IT01286
IT01287
0.01
0.01
2
3
5
7
Drain Current, ID– A
2
3
5
7
2
3
5
7
100
0.1
7
5
3
2
1.0
10
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
10
y
fs
-- ID
VDS=10V
75
°
C
25
°
C
Ta=-25
°
C
0
0.8
0.7
0.6
0.9
1.0
0.2
Diode Forward Voltage, VSD– V
0.1
0.4
0.3
0.5
0.001
0.01
10
0.1
7
5
3
2
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
IF
-- VSD
VGS
= 0
-
°
C
2
°
C
T7
°
C
F
F
Drain Current, ID– A
S
C
Drain-to-Source Voltage, VDS– V
Total Gate Charge, Qg – nC
G
D
Mounted on a ceramic board (1000mm
2
×
0.8mm)
Ambient Temperature, Ta –
C
A
Mounted on a ceramic board (1000mm
2
×
0.8mm)
Toa Dsipaion
1unt
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FTD2019 | Load Switching Applications |
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參數(shù)描述 |
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| FTD2017M | 制造商:SANYO 制造商全稱(chēng):Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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