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參數(shù)資料
| 型號： | FTD2014 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | Load Switching Applications |
| 中文描述： | 負荷開關應用 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | FTD2014 |
No.6267-2/4
FTD2014
PW=10
μ
s
D.C.
≤
1%
4V
0V
VIN
P.G
50
G
S
FTD2014
ID=4A
RL=2.5
VDD=10V
VOUT
VIN
D
Switching Time Test Circuit
Electrical Connection
Continued from preceding page.
D2
G2
S2 S2
D1
G1
(Top view)
S1 S1
RDS(on) -- Ta
60
50
40
30
20
10
150
125
100
75
50
25
0
--25
--50
0
RDS(on) -- VGS
90
70
80
40
50
0
30
2
4
0
6
10
8
0
0
ID -- VGS
12
10
8
6
4
2
0.4
Gate-to-Source Voltage, VGS – V
1.4
1.2
1.8
2.0
ID -- VDS
12
10
8
6
4
2
0.5
Drain-to-Source Voltage, VDS – V
1.0
1.5
2.5
3.0
0
0
2.0
20
10
60
0.2
0.6
1.6
1.0
0.8
1.5V
Ta=25
°
C
ID=2A, VGS=2.5V
ID=4A, VGS=4.0V
VDS=10V
-2
°
C
25
°
C
T=5
°
C
IT00425
IT00427
IT00426
IT00428
Ta=25
°
C
VGS=1.0V
2
4
2V
3
3
ID=2A
4A
D
D
Gate-to-Source Voltage, VGS – V
S
O
S
O
Ambient Temperature, Ta –
°
C
r
m
a
P
l
b
m
y
S
s
n
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C
s
g
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R
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-
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C
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S
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S
S
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S
S
S
S
4
0
3
0
4
1
3
8
1
2
s
s
s
s
C
C
C
V
n
n
n
n
n
n
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1
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g
Q
g
Q
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S
1
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M
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C
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D
V
,
V
0
1
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S
G
I
V
0
1
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D
A
4
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C
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C
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V
s
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4
2
8
e
g
h
g
IS
V
,
A
4
=
S
G
0
=
5
2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FTD2015 | Load Switching Applications |
| FTD2017 | Load Switching Applications |
| FTD2019 | Load Switching Applications |
| FTD2022 | Load Switching Applications |
| FTD7003 | P-Channel Silicon MOSFET High-Speed Switching Applications |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| FTD2017A-TL-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 20V 6A TSSOP8 |
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