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參數(shù)資料
| 型號： | FTD2007 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 中文描述： | 超高速開關(guān)應(yīng)用 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | FTD2007 |
No.6430-3/4
FTD2007
IT01123
0.01
0.1
2
3
5
Drain Current, ID– A
7
1.0
2
3
5
7
2
3
10
1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
y
fs
-- ID
VDS=10V
75
°
C
25
°
C
T=-25
°
C
IT01124
0
0.3
Diode Forward Voltage, VSD– V
0.9
0.6
1.2
1.5
0.01
1.0
0.1
7
5
3
2
7
5
3
2
10
7
5
3
2
IF -- VSD
VGS = 0
-
°
C
2
°
C
T7
°
C
1.0
0.1
3
5
7
2
2
3
5
7
1000
10
7
5
3
2
100
7
5
3
2
7
5
3
2
1.0
SW Time -- ID
VDD=50V
VGS=10V
td(on)
td(off)
tr
tf
IT01125
0
1.0
10
10
100
20
30
1000
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
40
100
50
60
70
80
90
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
IT01126
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
6
2
4
5
1
3
9
10
VGS -- Qg
VDS=10V
ID=800mA
IT01127
0
0
20
40
0.2
60
0.4
0.6
80
100
120
0.8
1.0
140
160
PD -- Ta
IT01129
0
0
0.2
0.4
0.2
0.6
0.4
0.6
0.8
0.8
PD(FET1) -- PD(FET2)
IT01130
A S O
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
10
1.0
0.01
0.1
0.001
2
3
5 7
Drain-to-Source Voltage, VDS– V
2
3
5 7
2
3
5 7
0.1
2
100
IT01128
100
μ
s
IDP=3.2A
Operation in this area is
limited by RDS(on).
DCopeaion
1ms
10ms
100ms
ID=0.8A
F
F
Drain Current, ID– A
S
C
Drain-to-Source Voltage, VDS– V
Total Gate Charge, Qg – nC
G
D
Mounted on a ceramic board (1000mm
2
×
0.8mm)
Ta=25
°
C
Single pulse
1 unit
Ambient Temperature, Ta –
C
A
A
Mounted on a ceramic board (1000mm
2
×
0.8mm)
Toa Dsipaion
Allowable Power Dissipation (FET2), PD– W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FTD2008 | DC / DC Converter Applications |
| FTD2011A | IC, LNA WITH BYPASS SWITCH |
| FTD2011 | Load Switching Applications |
| FTD2013 | CAP 1000PF 100V 5% NPO(C0G) SMD-1206 TR-7-PA |
| FTD2014 | Load Switching Applications |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FTD2008 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications |
| FTD200CN2-S | 制造商:Tohnichi Mtg. 功能描述:Bulk |
| FTD2011 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Load Switching Applications |
| FTD2011A | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:N CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR |
| FTD2011A-TL-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 20V 4A TSSOP8 |
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