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參數(shù)資料
| 型號： | FSU02LG |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | General Purpose GaAs FET |
| 中文描述： | 通用砷化鎵場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | FSU02LG |
2
NOISE FIGURE vs. DRAIN-SOURCE CURRENT
ASSOCIATED GAIN vs. DRAIN-SOURCE CURRENT
VDS = 3V
f = 2.0 GHz
VDS = 3V
f = 2.0 GHz
20
60
80
40
20
60
80
40
Drain-Source Current (mA)
18.5
18
17.5
17
16.5
16
A
Drain-Source Current (mA)
1.9
1.7
1.8
1.6
1.5
1.2
1.3
1.4
N
OUTPUT POWER & IM3 vs. INPUT POWER
VDS = 6V
f = 2 GHz
f = +1 MHz
IDS = 80mA
5
2
-1
-4
-7
-10
-13
8
Total Input Power (dBm)
19
17
15
13
11
9
7
21
23
5
3
1
-1
-3
-5
-20
-10
-30
-40
-50
-60
T
I
2-Tone
Single Tone
Pout
IM3
POWER DERATING CURVE
400
200
800
600
0
50
100
150
200
Case Temperature (
°
C)
T
FSU02LG
General Purpose GaAs FET
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSX017LG | General Purpose GaAs FET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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