- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375906 > FS150R12KT3 (INFINEON TECHNOLOGIES AG) IGBT-Module PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | FS150R12KT3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT-Module |
| 中文描述： | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ECONOPACK-35 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 272K |
| 代理商： | FS150R12KT3 |
3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS150R12KT3
prepared by: Mark Münzer
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-4-8
revision: 2.0
Vorlufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
V￥
2,5
kV
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Cu
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AIè0é
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkrper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
10,0
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkrper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
7,50
mm
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 225
min.
typ.
max.
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
eèùút = 1 W/(m·K) / etèùt = 1 W/(m·K)
Rúì
0,009
K/W
Modulinduktivitt
stray inductance module
Lù
21
nH
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T = 25°C, pro Zweig / per arm
Róó
1,80
m
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
TY èà
150
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
TY ó
-40
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
Tùú
-40
125
°C
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Schraube / screw M5
M
3,00
-
6,00
Nm
Gewicht
weight
G
300
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics.
It is valid with the appropriate technical explanations.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FS16KM-10 | HIGH-SPEED SWITCHING USE |
| FS16KM-10 | Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
| FS16KM-6 | HIGH-SPEED SWITCHING USE |
| FS16KM-6 | Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
| FS16KMA-4A | Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FS150R12KT3_04 | 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:EconoPACK3 with fast trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode |
| FS150R12KT4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT MODULE 1200V, 150A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS150R12KT4_B11 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 150A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS150R12KT4_B9 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 150A 1700V |
| FS150R12PT4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 150A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。