| 型號: | FQU17P06 | 
| 廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP | 
| 元件分類: | JFETs | 
| 英文描述: | 60V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-60V、漏電流為-12A的P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管) | 
| 中文描述: | 12 A, 60 V, 0.135 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 | 
| 封裝: | IPAK-3 | 
| 文件頁數(shù): | 7/9頁 | 
| 文件大?。?/td> | 662K | 
| 代理商: | FQU17P06 | 

相關(guān)PDF資料  | 
PDF描述  | 
|---|---|
| FQD18N20V2 | 200V N-Channel MOSFET | 
| FQU18N20V2 | 200V N-Channel MOSFET | 
| FQD19N10L | GIGATRUE CAT6 UNIVERSAL JACK, WHITE | 
| FQU19N10L | 100V LOGIC N-Channel MOSFET | 
| FQD19N10 | 100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V、漏電流為5.6A的N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管) | 
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)  | 
參數(shù)描述  | 
|---|---|
| FQU17P06_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel MOSFET | 
| FQU17P06TU | 功能描述:MOSFET -60V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| FQU18N20V2 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET | 
| FQU18N20V2_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET | 
| FQU18N20V2TU | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |