參數(shù)資料
型號(hào)： FQPF6N60C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 600V N-Channel MOSFET
中文描述： 5.5 A, 600 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 911K
代理商： FQPF6N60C
Rev. A, March 2004
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Typical CharacteristicsTypical Characteristics
(Continued)
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
10
-1
10
0
10
1
150
℃
Notes :
※
1. V
= 0V
2. 250μs Pulse Test
25
℃
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
0
200
400
600
800
1000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Note ;
※
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
4
8
12
16
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 300V
V
DS
= 120V
V
DS
= 480V
Note : I
※
D
= 5.5A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
GS
V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
Notes :
※
1. 250μs Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
Notes :
※
1. V
= 40V
2. 250μs Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
2
4
6
8
10
12
14
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
※
J
= 25
℃
R
D
D
I
D
, Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQP6N60C 600V N-Channel MOSFET
FQPF70N10 CAP 100PF 200V 5% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
FQPF70N08 80V N-Channel MOSFET
FQPF7N10 100V N-Channel MOSFET
FQPF7N60 V5 Series Miniature Basic Switch, Single Pole Normally Open Circuitry, 22 A at 250 Vac, Pin Plunger Actuator, 1,00 N [3.53 oz] Maximum, Silver Cadmium Oxide Contacts, Quick Connect Termination, CE, BEAB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQPF6N70 功能描述:MOSFET 700V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF6N80 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF6N80 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220F
FQPF6N80C 功能描述:MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF6N80C 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220F
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*