參數資料
型號： FQPF3N60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 600V N-Channel MOSFET
中文描述： 2 A, 600 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數： 1/8頁
文件大小： 720K
代理商： FQPF3N60
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相關PDF資料
PDF描述
FQPF3N80 800V N-Channel MOSFET
FQPF3P20 QFET P-CHANNEL
FQPF3N25 250V N-Channel MOSFET
FQPF3N40 400V N-Channel MOSFET
FQPF3N90 900V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
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FQPF3N80C 功能描述:MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF3N80CYDTU 功能描述:MOSFET N-CH/800V/3A/C-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF3N90 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF3N90 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220F
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