參數(shù)資料
型號： FQP9N25
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 250V N-Channel MOSFET
中文描述： 9.4 A, 250 V, 0.42 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 8/8頁
文件大?。?/td> 713K
代理商： FQP9N25
>#
"A!>
)
G
!"
#
!!
!$%&'
G
()*
()+
(),
%&
%-&
.
/
(5-E51<5H--<<-,<E<-5;E(I<E(;<5EHH-E<-5<(J
7-HE<-<557-,<-<15(C515JH5-<5; (5-E51<(H<(J
15(C515J(-55;HE<(7715(5-H<(J7-H-5-H5<-5C<E<-<5K
<5E<-<5,<J(J15<<H<-57(<-5;E-E<-5;EE<-
(5-E51 7-H (-< (HE-5D< - H< ( -55(1 7< 5 15< H77-
<,5< - J< 5EH E< <L7-< -5< (77-,(1 (5-E51 <5H-
5<-(5(1
(M
0 1!!
23 "
2"33
! " ""A
N
) (
!
"A
!!
"
!"
!"
#"#
!
(!5
!5
!
7
7
""
!>
!
5
7
!>
!
"
57
""
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQP9N30 300V N-Channel MOSFET
FQP9N50C 500V N-Channel MOSFET
FQPF9N50C 500V N-Channel MOSFET
FQP9N50 500V N-Channel MOSFET
FQP9N90C 900V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQP9N25C 功能描述:MOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP9N25C_Q 功能描述:MOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP9N25CTSTU 功能描述:MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:QFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
FQP9N30 功能描述:MOSFET 300V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP9N50 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*