參數(shù)資料
型號(hào)： FQP6N80C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 800V N-Channel MOSFET
中文描述： 5.5 A, 800 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 889K
代理商： FQP6N80C
Rev. A, June 2003
F
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
1 0
-5
1 0
-4
1 0
-3
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
※
N ote s :
1. Z
θ
2. D u ty F a cto r, D = t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J C
(t) = 2 .45
℃
/W M a x.
J C
(t)
single pulse
D =0.5
0.02
0.2
0.05
0.1
0.01
Z
θ
J
(
t
1
, S q u a re W a ve P ulse D u ra tio n [se c]
1 0
-5
1 0
-4
1 0
-3
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
※
N o tes :
1. Z
θ
2. D u ty F a c to r, D = t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J C
(t) = 0 .7 9
℃
/W M a x.
J C
(t)
sin g le pu lse
D = 0 .5
0 .0 2
0 .0 1
0 .2
0 .0 5
0 .1
Z
θ
J
(
t
1
, S q u a re W ave P u lse D u ra tio n [se c]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 11-1. Transient Thermal Response Curve for FQP6N80C
Figure 11-2. Transient Thermal Response Curve for FQPF6N80C
t
1
P
DM
t
2
t
1
P
DM
t
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQPF6N80C 800V N-Channel MOSFET
FQP6N80 800V N-Channel MOSFET
FQP6N90C 900V N-Channel MOSFET
FQPF6N90C 900V N-Channel MOSFET
FQP6N90 900V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQP6N90 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP6N90C 功能描述:MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP6N90C_Q 功能描述:MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP6P25 功能描述:MOSFET 250V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP70N08 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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