參數(shù)資料
型號(hào)： FQP6N60C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 600V N-Channel MOSFET
中文描述： 5.5 A, 600 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 911K
代理商： FQP6N60C
Rev. A, March 2004
F
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9-1. Maximum Safe Operating Area
for FQP6N60C
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
Figure 9-2. Maximum Safe Operating Area
for FQPF6N60C
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
Notes :
※
1. V
= 0 V
2. I
D
= 250 μA
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
I
D
,
T
C
, Case Temperature [ ]
℃
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
100 ms
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
Notes :
※
1. T
C
= 25
2. T
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
μ
s
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
Notes :
※
1. T
C
= 25
2. T
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Notes :
※
1. V
= 10 V
2. I
D
= 2.5 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FQP6N70 功能描述:MOSFET 700V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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FQP6N80 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220
FQP6N80_JEDEC 制造商:Fairchild 功能描述:800V/6A N-CH MOSFET
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