參數(shù)資料
型號： FQP6N45
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 450V N-Channel MOSFET
中文描述： 6.2 A, 450 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 571K
代理商： FQP6N45
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A1, January 2001
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
7
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-1
10
0
10
1
10
2
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
J
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
※
Notes :
1. V
= 10 V
2. I
D
= 3.1 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
D
= = 0 V
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
1 0
-5
1 0
-4
1 0
-3
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
※
N o t e s :
1 . Z
θ
(t ) = 1 .2 8
℃
/W M a x .
2 . D u t y F a c t o r , D = t
1
/t
2
3 . T
J M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J C
(t )
s in g le p u ls e
D = 0 .5
0 .0 2
0 .2
0 .0 5
0 .1
0 .0 1
Z
θ
(
t
1
, S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
t
1
P
DM
t
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQP6N50C 500V N-Channel MOSFET
FQP6N50 500V n-Channel MOSFET
FQP6N60 600V N-Channel MOSFET
FQP6N70 700V N-Channel MOSFET
FQP6N80C 800V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQP6N50 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP6N50 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220
FQP6N50C 功能描述:MOSFET N-CH/500V/ .5A/1.3OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP6N60 功能描述:MOSFET 600V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP6N60C 功能描述:MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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