參數(shù)資料
型號： FQP12N60C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： FQP12N60C/FQPF12N60C
中文描述： 12 A, 600 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 873K
代理商： FQP12N60C
Rev. B, October 2003
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關PDF資料
PDF描述
FQPF12N60C FQP12N60C/FQPF12N60C
FQP13N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET
FQP13N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET
FQP13N10 100V N-Channel MOSFET
FQP13N06 Flat / Ribbon Cable; Number of Conductors:50; Conductor Size AWG:28; No. Strands x Strand Size:7 x 36; Leaded Process Compatible:No; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: Yes
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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FQP12P20 功能描述:MOSFET 200V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP12P20 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P TO-220 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, P, TO-220 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, P, TO-220; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:11.5A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):360mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-5V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: No
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