| 型號: | FQI4N20 | 
| 廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP | 
| 元件分類: | JFETs | 
| 英文描述: | 200V N-Channel MOSFET | 
| 中文描述: | 3.6 A, 200 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA | 
| 封裝: | I2PAK-3 | 
| 文件頁數: | 5/9頁 | 
| 文件大?。?/td> | 704K | 
| 代理商: | FQI4N20 | 

相關PDF資料  | 
PDF描述  | 
|---|---|
| FQB4N25 | 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V的N溝道增強型MOSFET) | 
| FQI4N25 | 250V N-Channel MOSFET | 
| FQB4N50 | 500V N-Channel MOSFET(漏源電壓為500V的N溝道增強型MOSFET) | 
| FQI4N50 | 500V N-Channel MOSFET | 
| FQB4N60 | 600V N-Channel MOSFET(漏源電壓為600V的N溝道增強型MOSFET) | 
相關代理商/技術參數  | 
參數描述  | 
|---|---|
| FQI4N20L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET | 
| FQI4N20LTU | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| FQI4N20TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| FQI4N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET | 
| FQI4N25TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |