| 型號: | FQI46N15 | 
| 廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP | 
| 元件分類: | JFETs | 
| 英文描述: | 150V N-Channel MOSFET(漏源電壓為150V的N溝道增強型MOSFET) | 
| 中文描述: | 45.6 A, 150 V, 0.042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262 | 
| 封裝: | I2PAK-3 | 
| 文件頁數(shù): | 9/9頁 | 
| 文件大?。?/td> | 769K | 
| 代理商: | FQI46N15 | 

相關(guān)PDF資料  | 
PDF描述  | 
|---|---|
| FQB47P06 | 60V P-Channel MOSFET | 
| FQI47P06 | 60V P-Channel MOSFET | 
| FQB4N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的邏輯N溝道增強型MOSFET) | 
| FQB4N20 | 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強型MOSFET) | 
| FQI4N20 | 200V N-Channel MOSFET | 
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)  | 
參數(shù)描述  | 
|---|---|
| FQI47P06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel MOSFET | 
| FQI47P06TU | 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| FQI4N20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET | 
| FQI4N20L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET | 
| FQI4N20LTU | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |