參數(shù)資料
型號： FQD6N60CTF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 600V N-Channel MOSFET
中文描述： 4 A, 600 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 678K
代理商： FQD6N60CTF
7
www.fairchildsemi.com
FQD6N60C Rev. A
F
Mechanical Dimensions
Dimensions in Millimeters
D-PAK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQD6N60CTM 600V N-Channel MOSFET
FQD6P25 250V P-Channel MOSFET
FQU6P25 250V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-250V、漏電流為-4.7A的P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
FQD7N10 100V N-Channel MOSFET
FQU7N10 100V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQD6N60CTM 功能描述:MOSFET N-CH/600V/6A/ QFET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD6N60CTM_WS 功能描述:MOSFET 600V N-Ch MOSFET QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD6P25 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V P-Channel MOSFET
FQD6P25TF 功能描述:MOSFET 250V P-Ch QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD6P25TM 功能描述:MOSFET P-CH/250V/4.7A/1.1OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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