參數(shù)資料
型號(hào)： FQD60N03L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level MOSFETs 30V, 30A, 0.023ohm
中文描述： 30 A, 30 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： TO-252AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/11頁(yè)
文件大?。?/td> 124K
代理商： FQD60N03L
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD60N03L Rev. B1
F
Figure 11. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 12. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Figure 13. Switching Time vs Gate Resistance
Figure 14. Switching Time vs Gate Resistance
Typical Characteristic
(Continued)
100
1000
0.1
1
10
30
70
2000
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
0
2
4
6
8
10
0
3
6
9
12
15
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 15V
I
D
= 30A
I
D
= 15A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
0
20
40
60
80
100
0
10
20
30
40
50
S
R
GS
, GATE TO SOURCE RESISTANCE (
)
V
GS
= 4.5V, V
DD
= 15V, I
D
= 7.9A
t
d(OFF)
t
r
t
f
t
d(ON)
S
R
GS
, GATE TO SOURCE RESISTANCE (
)
V
GS
= 10V, V
DD
= 15V, I
D
= 7.9A
t
d(OFF)
t
r
t
d(ON)
t
f
0
20
40
60
80
100
120
140
0
10
20
30
40
50
Test Circuits and Waveforms
Figure 15. Unclamped Energy Test Circuit
Figure 16. Unclamped Energy Waveforms
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
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PDF描述
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參數(shù)描述
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