參數(shù)資料
型號： FQD5N50C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 500V N-Channel MOSFET
中文描述： 4 A, 500 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 628K
代理商： FQD5N50C
Rev. A, October 2003
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
※
Notes :
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 2 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
100 ms
DC
1 ms
10
μ
s
10 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
※
N otes :
1. Z
2. D uty Factor, D =t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
(t) = 2.6
℃
/W M ax.
JC
(t)
sin gle pulse
D = 0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
(
t
1
, S quare W ave P ulse D uration [sec]
t
1
P
DM
t
2
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQU5N50C 500V N-Channel MOSFET
FQD5P10 100V P-Channel MOSFET
FQU5P10 100V P-Channel MOSFET
FQD5P20 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-200V、漏電流為3.7A的P溝道增強型MOS場效應(yīng)管)
FQD60N03L N-Channel Logic Level MOSFETs 30V, 30A, 0.023ohm
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQD5N50C_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
FQD5N50CTF 功能描述:MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD5N50CTM 功能描述:MOSFET N-CH/500V/5A/A.QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD5N50CTM_F080 功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 500V 4A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD5N50CTM_WS 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:500V/5A NCH MOSFET
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