參數(shù)資料
型號： FQD45N03L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level PWM Optimized Power MOSFET
中文描述： 20 A, 30 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： TO-252, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大?。?/td> 269K
代理商： FQD45N03L
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD45N03L Rev. B1
F
Figure 17. Gate Charge Test Circuit
Figure 18. Gate Charge Waveforms
Figure 19. Switching Time Test Circuit
Figure 20. Switching Time Waveform
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
V
DD
Q
g(TH)
V
GS
= 1V
Q
g(5)
V
GS
= 5V
Q
g(TOT)
V
GS
= 10V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
0
Q
gs
Q
gd
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQD4N20L 200V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V、漏電流為3.2A的邏輯N溝道增強型MOS場效應(yīng)管)
FQD4N25 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V、漏電流為3.0A的N溝道增強型MOS場效應(yīng)管)
FQU4N25 250V N-Channel MOSFET
FQD4N50 500V N-Channel MOSFET(漏源電壓為500V、漏電流為2.6A的N溝道增強型MOS場效應(yīng)管)
FQU4N50 500V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQD45N03LTF 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET Logic Level PWM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD45N03LTM 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD-4F 制造商:SR COMPONENTS 功能描述: 制造商:SR Components Inc 功能描述:
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